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标识牌制作处理工艺-腐蚀

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     发布日期:13-04-12     热度:

  硅片去层作业:⑴、碱洗去层:在反应容器中配制20-40%的氢氧化钠溶液为腐蚀溶液,将硅片加入碱锅里进行腐蚀,根据硅片的结深确定腐蚀时间,一般为30---120秒。用漏勺捞起看硅料表面是否光亮无杂质。

  ⑵、冲洗残碱:在冲洗槽中将硅片上附着的残碱冲洗干净。

  ⑶、超声波超洗:①、在超声波内注入足量纯净水以能够淹没硅片为准。②、将10-15千克的硅片用纯净水冲净,倒入清洗槽内,打开超声机清洗开关,每10分钟将硅片全部翻动一次,以免叠片时夹杂杂质,无法清洗出来。清洗20分钟换两次水后关闭超声清洗开关,将槽内清洗水放尽。③、用高纯水再超两次(每次10分钟),每3分钟将硅片翻动一次,最后关闭超声波开关,放尽清洗水,翻动硅片,将杂质和残留硅片上的清洗水冲尽。④、氢氟酸浸泡:在浸泡池中配置15%~25%的氢氟酸溶液,将硅片放入浸泡池内浸泡5-6分钟,并搅拌硅片避免叠片。或用1:15-20的混酸进行清洗30S左右。⑤、冲洗残酸:在冲洗槽中将硅片残酸冲洗干净。

  ⑥、超声波清洗:A、在超声波内注入足量纯净水以能够淹没硅片为准。

  B、将10-15千克的硅片用纯净水冲净,倒入清洗水槽内,打开清洗开关,每10分钟将硅片全部翻动一次,以免叠片时夹杂杂质,无法清洗出来。超声时间按车间具体规定执行。

  C、用高纯水冲洗硅片,将残留杂质冲净。

  D、用高纯水冲洗将杂质和残留硅片上的清洗水冲尽。

  E、脱水:用纱网,每次放硅片5-6千克到脱水机中脱水2分钟。

  F、冲洗:将硅片放入冲洗槽中沖洗并搅拌。

  G、烘干:将硅片放入花篮中,堆积厚度小于2厘米,并将硅片用塑料棒划通气缝。烘箱温度调至115℃,烘干2~4小时。

  3、硅片浸泡作业:

  ⑴、湿法蚀刻工艺:将硅片倒入浸泡池中,体积不超过浸泡池的2/3。在浸泡池中倒入腐蚀溶液。腐蚀溶液为氢氟酸49-59%的工业纯刻蚀溶液,浸泡12小时后,放出酸液,将硅片冲洗干净。

  ⑵、去除金属沾污:配制王水溶液,根据气温变化稀释至30-50%的浓度,浸泡12小时后,放出酸液,将硅片冲洗干净。

  ⑶、二次湿法蚀刻工艺:将硅片倒入浸泡池中,体积不超过浸泡池的2/3。在浸泡池中倒入腐蚀溶液。腐蚀溶液配比为HF:NH4F=(6-10)工业氢氟酸,浸泡:112小时后,放出酸液,将硅片冲洗干净。